內(nèi)存條卡座的發(fā)展歷史——華睿優(yōu)創(chuàng)專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)
古老的SIMM時(shí)代
遠(yuǎn)古的30pin SIPP (Single In-line Pin Package) 接口,針腳的定義其實(shí)與30pin SIMM一樣的。
SIPP很快就被SIMM(Single In-line Memory Modules)取代了,兩側(cè)金手指?jìng)鬏斚嗤男盘?hào),早期的內(nèi)存頻率與CPU外頻是不同步的,是異步DRAM,細(xì)分下去的話包括FPM DRAM(Fast Page Mode DRAM)與EDO DRAM(Extended data out DRAM),常見(jiàn)的接口有30pin SIMM與72pin SIMM,工作電壓都是5V。
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內(nèi)存條卡座的發(fā)展歷史——華睿優(yōu)創(chuàng)專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)
古老的SIMM時(shí)代
有趣的是DIP芯片形式的內(nèi)存與內(nèi)存條共存了一段比較長(zhǎng)的時(shí)間,在不少286的主板上你可以同時(shí)看到DIP內(nèi)存芯片與30pin SIMM內(nèi)存插槽,它們是可以一齊工作的。
隨后誕生了72pin SIMM內(nèi)存,單根內(nèi)存位寬增加到32位,一根就可以滿足32位數(shù)據(jù)總線處理器,擁有64位數(shù)據(jù)總線的奔騰處理器則需要兩根,內(nèi)存容量也有所增加,它的出現(xiàn)很快就替代了30pin SIMM內(nèi)存,386、486以及后來(lái)的奔騰、奔騰Pro、早期的奔騰II處理器多數(shù)會(huì)用這種內(nèi)存。
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展望未來(lái)的DDR5內(nèi)存——華睿優(yōu)創(chuàng)專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)
現(xiàn)在DDR4還沒(méi)普及談DDR5可能有點(diǎn)早,DDR5內(nèi)存目前還在研發(fā)階段,尚未有具體規(guī)范,所以廠商公布的很多規(guī)格都不是確定的,其目標(biāo)是相比DDR4內(nèi)存至少帶寬翻倍,容量更大,同時(shí)更加節(jié)能,具體來(lái)說(shuō)就是數(shù)據(jù)頻率從目前1.6-3.2Gbps的水平提升到3.2-6.4Gbps,預(yù)取位寬從8bit翻倍到16bit,內(nèi)存庫(kù)提升到16-32個(gè)。至于電壓,DDR4電壓已經(jīng)降至1.2v,DDR5有望降至1.1v或者更低。
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